+7(495)369-01-59

Модуль памяти Hynix HMA41GR7BJR4N-VKTF

Под заказ Отзывов: 0
Бренд: Hynix
Код товара:
Артикул:
Цена по запросу

Возможность заказа и актуальную
цену уточняйте у менеджера.

Основные данные
Код производителя
Низкопрофильная
Форм-фактор
Activate to Precharge Delay (tRAS)
CAS Latency (CL)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Row Precharge Delay (tRP)
Буферизованная (регистровая)
Количество контактов
Количество модулей в комплекте
Количество ранков
Нормальная операционная температура (Tcase)
Объем одного модуля
Пропускная способность
Радиатор
Расширенная операционная температура (Tcase)
Стандарт
Суммарный объем
Эффективная частота
Спецификации памяти
Поддержка ECC
Питание
Напряжение питания

Модуль памяти Hynix HMA41GR7BJR4N-VKTF

Тип устройства: модуль оперативной памяти стандарта DDR4, предназначенный для установки в серверные системы и рабочие станции. Данная планка относится к категории зарегистрированной памяти с коррекцией ошибок, что обеспечивает повышенную стабильность работы критически важного оборудования.

Производитель: Hynix

Модель: HMA41GR7BJR4N-VKTF

Основные характеристики

Форм-фактор и тип: модуль выполнен в стандарте DDR4 и относится к типу ECC Registered (RDIMM), что гарантирует обнаружение и исправление однобитовых ошибок памяти.

Объем и организация: планка имеет объем 8 гигабайт и организацию 1Rx4, что означает использование чипов с четырехбитной шиной данных на одном ранге памяти.

Частота и пропускная способность: модуль работает на эффективной частоте 2666 мегагерц, обеспечивая пропускную способность до 21300 мегабайт в секунду (PC4-21300).

Тайминги и напряжение: задержки CAS Latency (CL) составляют 19 тактов, а рабочее напряжение питания равно стандартным 1.2 вольта, что способствует энергоэффективности.

Конструктивные особенности

Регистровая буферизация: наличие регистра (Registered) на модуле снижает электрическую нагрузку на контроллер памяти материнской платы, позволяя устанавливать большее количество планок в одну систему.

Чипы собственного производства: в модуле используются оригинальные микросхемы памяти, произведенные компанией Hynix, что гарантирует полную совместимость и стабильность работы в серверных платформах.

Поддержка ECC: встроенная технология коррекции ошибок (Error Correcting Code) позволяет автоматически исправлять однобитовые сбои, что критически важно для предотвращения потери данных в базах данных и вычислительных задачах.

Низкое энергопотребление: работа при напряжении 1.2 вольта снижает общее тепловыделение сервера и уменьшает затраты на электроэнергию при длительной круглосуточной эксплуатации.

Область применения

Данный модуль памяти предназначен для установки в серверы, системы хранения данных и мощные рабочие станции, где требуется высокая надежность и безошибочность вычислений. Он оптимально подходит для виртуализации, обработки больших массивов данных и работы критически важных корпоративных приложений.

Гарантия

Гарантийный срок составляет 12 месяцев с даты продажи.

Физические характеристики

Вес: 0,1 кг.

Теги: Модуль, память, Hynix, HMA41GR7BJR4N-VKTF

Будьте первым, кто оставит отзыв об этом товаре.

Оставить отзыв

HTML-разметка не обрабатывается.
Плохо
Хорошо

Смотрите также

Модуль памяти HP 835955-B21

Модуль памяти HP 835955-B21

HP 20619
В наличии
30 962.00 руб.
Оперативная память 64GB DDR4 3200MHz Hynix ECC Reg (HMAA8GR7CJR4N-XN) OEM
Модуль памяти Samsung M393A2K40DB3-CWE

Модуль памяти Samsung M393A2K40DB3-CWE

Samsung 20767
В наличии
28 319.00 руб.
Модуль памяти Samsung M393A2K43DB3-CWE

Модуль памяти Samsung M393A2K43DB3-CWE

Samsung 20770
В наличии
26 130.00 руб.
Модуль памяти Samsung M393A4G40AB3-CWE

Модуль памяти Samsung M393A4G40AB3-CWE

Samsung 20772
В наличии
132 188.00 руб.
Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWE

Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWE

Samsung 20778
В наличии
116 456.00 руб.
Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWE

Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWE

Samsung 20779
В наличии
91 224.00 руб.
Модуль памяти HPE 728629-B21

Модуль памяти HPE 728629-B21

HPE 20628
В наличии
40 960.00 руб.
Новинка
Модуль памяти Samsung 64GB 3200MHz DDR4 ECC Reg 2Rx4 RDIMM 1.2V (M393A8G40CB4-CWE)
Оперативная память 64GB DDR4 3200MHz Micron ECC Reg (MTA36ASF8G72PZ-3G2)
Новинка
Модуль памяти Samsung 16GB 3200MHz DDR4 ECC Reg 1Rx4 RDIMM (M393A2K40EB3-CWE)
Новинка
Модуль памяти Samsung 16GB DDR4 RDIMM 3200 1.2V DR (M393A2K43EB3-CWE)
Оперативная память 64GB DDR4 3200MHz Kingston ECC Reg (KSM32RD4/64MFR)
Новинка
Модуль памяти Samsung 16GB 3200MHz DDR4 ECC Reg 2Rx8 RDIMM (M393A2K43EB3-CWEBY)
Оперативная память 64GB DDR4 3200MHz Kingston ECC Reg (KSM32RD4/64HCR)

Вопросы и ответы

Как купить эту позицию для юрлица?

Оформляете заказ или присылаете спецификацию: выставляем счёт с НДС, отдаём УПД. Наличные и переводы на карты не принимаем.

Какой срок поставки?

Если позиция в наличии — отгрузка обычно 1–3 рабочих дня. Под заказ срок уточняет менеджер, ориентир 3–4 недели.

Доставляете по России?

Да. Москва и область — своими силами, регионы — через транспортные компании. Срок зависит от наличия и габарита.

Поможете с совместимостью или аналогом?

Да. Напишите модель площадки или шильдик — инженер проверит совместимость и предложит оригинал или рабочий аналог.

Цена по запросу
Каталог Избранные товары0 Сравнение товаров0 Корзина0