Оперативная память 128GB DDR4 3200MHz Hynix (HMABAGL7CBR4N-XN)

Под заказ Отзывов: 0

Бренд: Hynix

Под заказ

Оперативная память 128GB DDR4 3200MHz Hynix (HMABAGL7CBR4N-XN)

Код товара:

Артикул:

Цена по запросу

Возможность заказа и актуальную
цену уточняйте у менеджера.

Доставка Отгрузка 1–3 дня при наличии на складе Оплата Безналичный расчёт с НДС 22% Гарантия Официальная гарантия производителя

Нужен аналог Помочь с совместимостью Нашли дешевле

Оперативная память 128GB DDR4 3200MHz Hynix (HMABAGL7CBR4N-XN)

Тип устройства: высокопроизводительный модуль оперативной памяти стандарта DDR4, предназначенный для установки в серверные системы и рабочие станции. Данная модель относится к типу LRDIMM (Load Reduced DIMM) с поддержкой регистровой буферизации и коррекции ошибок ECC, что обеспечивает повышенную надежность и стабильность работы.

Производитель: Hynix

Модель: HMABAGL7CBR4N-XN

Основные характеристики

Объем памяти: 128 ГБ, что позволяет обрабатывать крупные массивы данных и запускать ресурсоемкие приложения без подкачки на диск.

Тип и частота: DDR4 с эффективной частотой 3200 МГц, обеспечивающая высокую пропускную способность для операций с данными.

Технология ECC: встроенная коррекция ошибок (Error Correcting Code) автоматически исправляет однобитовые ошибки, повышая отказоустойчивость системы.

Форм-фактор и ранг: выполнен в типоразмере LRDIMM с регистровой буферизацией, что снижает нагрузку на контроллер памяти и позволяет устанавливать больше модулей в один канал.

Конструктивные особенности

Регистровая буферизация: использование регистра на модуле снижает электрическую нагрузку на шину памяти, что критически важно для стабильной работы большого количества планок в многопроцессорных конфигурациях.

Технология LRDIMM: в отличие от обычных RDIMM, данный модуль дополнительно буферизирует сигналы данных, что уменьшает задержки и повышает общую производительность системы.

Теплоотвод: модуль оснащен эффективным радиатором, который отводит тепло от чипов, предотвращая перегрев при длительной интенсивной нагрузке.

Высокая плотность: использование современных чипов 3D TSV позволяет разместить 128 ГБ в одном модуле стандартного размера, экономя слоты расширения.

Область применения

Данный модуль памяти оптимизирован для использования в серверах корпоративного уровня, центрах обработки данных (ЦОД) и высокопроизводительных рабочих станциях. Он подходит для задач виртуализации, работы с базами данных, научных расчетов, рендеринга и обработки больших объемов информации в реальном времени.