Модуль памяти Samsung M386A8K40BM2-CTD (PC4-21300 2666MHz CL19 1.2V ECC Registered Low Reduced (LRDIMM) QRx4 Bulk)

Модуль памяти Samsung M386A8K40BM2-CTD (PC4-21300 2666MHz CL19 1.2V ECC Registered Low Reduced (LRDIMM) QRx4 Bulk)

Под заказ
Рейтинг:

Под заказ 0.00
0.00 руб.

Возможность заказа и актуальную
цену уточняйте у менеджера.



Основные характеристики

Все характеристики
Код производителя: M386A8K40BM2-CTD
Низкопрофильная: Нет
Форм-фактор: LRDIMM
CAS Latency (CL): 19
LRDIMM (Load-Reduced Dual Inline Memory Module): Есть
Доставка
  • Срок отгрузки товара 1-3 рабочих дня (при наличии на складе) после подтверждения оплаты.
  • Стоимость доставки по Москве составляет 500 рублей, по Московской области и в другие регионы – по договоренности с менеджером.
  • Доставка во все регионы России осуществляется транспортными компаниями.
  • Доставка груза осуществляется до подъезда или склада Покупателя. Разгрузка и подъём на этаж осуществляется силами Покупателя.
Оплата
  • Безналичный расчет
Гарантия
  • Предоставляется официальная гарантия на поставляемый товар

Модуль памяти Samsung M386A8K40BM2-CTD

Тип устройства: оперативная память стандарта DDR4, выполненная в форм-факторе Load Reduced DIMM (LRDIMM). Этот тип модулей предназначен для использования в серверах и высокопроизводительных вычислительных системах, где требуется максимальный объем памяти и высокая надежность. Технология LRDIMM позволяет снизить электрическую нагрузку на шину памяти, что дает возможность устанавливать больше модулей в один канал по сравнению с обычными RDIMM.

Производитель: Samsung

Модель: M386A8K40BM2-CTD

Основные характеристики

Стандарт и частота: модуль соответствует спецификации PC4-21300 (DDR4-2666), что обеспечивает эффективную пропускную способность до 21,3 ГБ/с на один модуль. Тактовая частота памяти составляет 2666 МГц, что является оптимальным балансом между производительностью и энергопотреблением для серверных платформ.

Тайминги и напряжение: работает с задержкой CAS Latency (CL) 19 при стандартном напряжении питания 1,2 В. Использование низкого напряжения способствует снижению тепловыделения и энергопотребления системы в целом.

Технология ECC и регистрация: поддерживает аппаратную коррекцию ошибок (ECC), что критически важно для обеспечения целостности данных в серверах и рабочих станциях. Модуль является Registered (буферизированным), что увеличивает стабильность работы при большом количестве установленных планок памяти.

Конфигурация и объем: модуль имеет организацию QRx4 (Quad Rank, x4 организации), что означает использование четырех рангов чипов с шириной шины 4 бита каждый. Такая конфигурация позволяет достичь высокой плотности памяти на одном модуле, обеспечивая большой общий объем системы.

Конструктивные особенности

Форм-фактор LRDIMM: в отличие от обычных RDIMM, модули LRDIMM используют буфер для снижения электрической нагрузки на контроллер памяти. Это позволяет устанавливать до трех модулей на канал вместо двух, что значительно увеличивает максимальный поддерживаемый объем ОЗУ.

Качество сборки Samsung: модуль произведен компанией Samsung, одним из ведущих мировых производителей полупроводниковой продукции. Используются только оригинальные чипы памяти собственного производства, прошедшие строгий контроль качества.

Низкопрофильный дизайн: конструкция модуля не имеет высоких радиаторов, что обеспечивает совместимость с плотными серверными конфигурациями. Это особенно важно при установке в стойки с ограниченным пространством или в системы с массивным процессорным охлаждением.

Улучшенное управление питанием: встроенные компоненты PMIC (Power Management IC) обеспечивают стабильное и чистое питание для чипов памяти. Это снижает уровень помех и повышает общую стабильность работы системы при интенсивных нагрузках.

Область применения

Модуль памяти Samsung M386A8K40BM2-CTD предназначен для установки в серверы корпоративного класса, дата-центры и высокопроизводительные вычислительные кластеры (HPC). Он подходит для задач виртуализации, обработки больших баз данных, облачных вычислений и других приложений, где требуется большой объем оперативной памяти и абсолютная надежность. Благодаря технологии LRDIMM, этот модуль является оптимальным выбором для систем, где критически важна максимальная плотность памяти на один процессор.

Гарантия

Гарантийный срок составляет 12 месяцев с даты продажи.

Основные данные
Код производителя
M386A8K40BM2-CTD
Низкопрофильная
Нет
Форм-фактор
LRDIMM
CAS Latency (CL)
19
LRDIMM (Load-Reduced Dual Inline Memory Module)
Есть
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Буферизованная (регистровая)
Есть
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1 шт
Количество ранков
4
Количество чипов на модуле
36 шт
Нормальная операционная температура (Tcase)
85 °C
Объем одного модуля
64 ГБ
Пропускная способность
21300 Мб/с
Радиатор
Нет
Расширенная операционная температура (Tcase)
95 °C
Стандарт
DDR4
Суммарный объем
64 ГБ
Эффективная частота
2666 МГц
Спецификации памяти
Поддержка ECC
Есть
Питание
Напряжение питания
1.2 В
Дополнительная информация
Cайт производителя
samsung.com
Упаковка
Kit

Нет отзывов об этом товаре.

Написать отзыв
Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст!

Теги: Модуль, памяти, Samsung, M386A8K40BM2-CTD, DDR4, 64GB, ECC, RDIMM