Оперативная память Hynix HMABAGL7ABR4N-XN (128Гб DDR4 3200MHz LRDIMM ECC Reg)
- Производитель: Hynix
- Артикул: HMABAGL7ABR4N-XN
- Не нашли нужный товар на сайте? Оставьте заявку, мы найдем его для Вас.
- Не согласен с ценой? Предложи свою!
- Срок отгрузки товара 1-3 рабочих дня (при наличии на складе) после подтверждения оплаты.
- Стоимость доставки по Москве составляет 500 рублей, по Московской области и в другие регионы – по договоренности с менеджером.
- Доставка во все регионы России осуществляется транспортными компаниями.
- Доставка груза осуществляется до подъезда или склада Покупателя. Разгрузка и подъём на этаж осуществляется силами Покупателя.
- Безналичная — согласно выставленному счету c НДС 22% на юридическое, физическое лицо или ИП. В счете есть QR-код, можно оплатить через банковское приложение. Переводы с банковских карт и наличные не принимаем.
- Предоставляется официальная гарантия на поставляемый товар
Оперативная память 128GB DDR4 3200MHz Hynix ECC LRDIMM (HMABAGL7ABR4N-XN)
Тип устройства: оперативная память стандарта DDR4, выполненная в форм-факторе LRDIMM (Load-Reduced DIMM). Данный тип модулей предназначен для использования в серверных системах и высокопроизводительных вычислительных комплексах, где требуется максимальный объем памяти при высокой частоте работы.
Производитель: Hynix
Модель: HMABAGL7ABR4N-XN
Основные характеристики
Объем памяти: составляет 128 ГБ, что позволяет обрабатывать огромные массивы данных, запускать десятки виртуальных машин и работать с ресурсоемкими приложениями без замедлений.
Тактовая частота: 3200 МГц, обеспечивающая высокую пропускную способность и быстрый обмен данными между процессором и памятью.
Тип чипов: используются оригинальные чипы Hynix, которые гарантируют стабильность работы и совместимость с серверными платформами.
Технология ECC: встроенная коррекция ошибок (Error Correcting Code) позволяет автоматически обнаруживать и исправлять однобитовые сбои, что критически важно для обеспечения целостности данных.
Конструктивные особенности
Технология LRDIMM: использование буфера нагрузки (ранжирование) снижает электрическую нагрузку на шину памяти, что позволяет устанавливать больше модулей в один канал и наращивать общий объем ОЗУ.
Теплоотвод: модуль оснащен алюминиевым радиатором, который эффективно отводит тепло от микросхем, предотвращая перегрев и троттлинг при длительных высоких нагрузках.
Регистровая буферизация: наличие регистров на модуле улучшает целостность сигнала на высоких частотах, что особенно важно при работе с несколькими модулями в многоканальном режиме.
Стандарт напряжения: работает при напряжении 1.2 В, что соответствует спецификациям DDR4 и обеспечивает низкое энергопотребление по сравнению с предыдущими поколениями.
Область применения
Данный модуль памяти предназначен для установки в серверы, рабочие станции, системы виртуализации и хранения данных (NAS/SAN). Он подходит для задач, требующих высокой надежности и большого объема оперативной памяти, таких как обработка баз данных, рендеринг, научные вычисления и корпоративные облачные инфраструктуры.
Гарантия
Гарантийный срок составляет 12 месяцев с даты продажи.
Физические характеристики
Вес: 0,1 кг.
Теги: 128gb, 3200mhz, ddr4, ecc, hynix, оперативная память, серверные комплектующие
